柔性線路板廠之存儲芯片廠商開啟新一輪工藝競爭！
柔性線路板廠了解到，近日，三星、SK海力士等DRAM廠商爭相爆出有關第五代1bDRAM的最新研發進展，新一代產品在數據處理速度、功耗、耗電量等方面都有了顯著提升，在移動設備、智能車輛、數據中心以及人工智能等領域的應用將更加廣泛。
英特爾、英偉達、AMD等廠商開始了新一輪的訂購，存儲廠商也將1bDRAM視為改善業績的關鍵產品。同時，存儲廠商開始了對下一代工藝節點1c的研發。有消息說，三星將跳過1bDRAM，直接研發1cDRAM。面向當前的1b競爭與未來的1c競爭，存儲廠商已經開始暗中較勁。
1bDRAM研發如火如荼
一直以來，各大內存廠商將上一代DRAM芯片按照1X、1Y、1Z進行工藝區分，1Xnm工藝相當于16-19nm制程工藝、1Ynm相當于14-16nm制程工藝，1Znm工藝相當于12-14nm制程工藝。而新一代的1a、1b和1c則分別代表14-12nm、12-10nm以及10nm及以下制程工藝。
各大DRAM企業的研發進展圖
SK海力士重點發力存儲產品的運行速度。據悉，SK海力士已開始與英特爾一起驗證其最新的Gen 5(1b)10nm服務器DDR5 DRAM，后續可與英特爾至強可擴展平臺服務器處理器搭配使用。
三星則一如既往強調研發和技術領先性，宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產，并在最近與AMD完成了兼容性測試。三星表示，這款產品是業界最先進的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。
FPC廠了解到，存儲三巨頭中，美光在1bDRAM的推出時間上占得先機，已經向智能手機制造商和芯片組的合作伙伴運送樣品，還將在LPDDR5X內存上采用新的工藝技術，提供最高8.5Gbps速率。
1cDRAM成為下半場競爭關鍵
雖然1b相比1a工藝在密度、性能、能效方面都有一定提升，但相比下一代工藝1c仍存在局限性。相較于1a工藝節點，1b工藝節點的提升主要體現在功耗和性能方面。1bDRAM能夠提供更低的功耗和更高的性能，同時也能夠更好地適應新一代處理器的需求。然而，1bDRAM與1cDRAM相比，還存在一定的局限性，無法支持更高的容量和更快的速度。
因此，業界認為1c工藝是DRAM接下來的競爭關鍵。據悉，1bDRAM產品主要受存儲市場萎靡影響，市場空間相對有限。預計存儲市場在2023年底或2024年上半年開始反彈，按照DRAM市場技術迭代速度，市場復蘇剛好迎來1cDRAM產品推出時間，所以1cDRAM產品成為市場復蘇后各家競爭關鍵。
軟板廠了解到，目前來看，三星、SK海力士和美光都有在1cDRAM份額爭奪戰中拔得頭籌的機會。三星在研發方面一直處于領先地位，SK海力士具有強大的生產能力和技術實力，而美光則具有獨特的技術和設計優勢，產品迭代形成產品穩定性。目前三家的研發進度都比較接近，未來的走勢還需要時間和機遇的檢驗。
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