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柔性線路板之半導體原料明日之星砷化鎵、氮化鎵產業分析

文章來源：電子發燒友作者：梁波靜查看手機網址

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人氣：4220發布日期：2019-08-24 11:33【大中小】

半導體原料共經歷了三個發展階段：第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge) 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、硒化鋅(ZnSe) 等寬帶半導體原料為主。

柔性線路板廠了解到，第三代半導體原料具有較大的帶寬寬度，較高的擊穿電壓(breakdown voltage)，耐壓與耐高溫性能良好，因此更適用于制造高頻、高溫、大功率的射頻組件。

從第二代半導體原料開始出現化合物，這些化合物憑借優異性能在半導體領域中取得廣泛應用。

如GaAs在高功率傳輸領域具有優異的物理性能優勢，廣泛應用于手機、無線局域網絡、光纖通訊、衛星通訊、衛星定位等領域。

GaN則具有低導通損耗、高電流密度等優勢，可顯著減少電力損耗和散熱負載。可應用于變頻器、穩壓器、變壓器、無線充電等領域。

SiC因其在高溫、高壓、高頻等條件下的優異性能，在交流-直流轉換器等電源轉換裝置中得以大量應用。

明日之星-GaN

GaN 是未來最具增長潛力的化合物半導體，與GaAs和InP等高頻工藝相比，GaN制成組件輸出的功率更大；與LDMOS和SiC等功率工藝相比，GaN的頻率特性更好。

大多數Sub 6GHz的蜂窩網絡都將采用GaN組件，因為LDMOS無法承受如此高的頻率，而GaAs對于高功率應用又非理想之選。電路板小編還覺得，因為較高的頻率會降低每個基地臺的覆蓋范圍，所以需要安裝更多的晶體管，進而帶動GaN市場規模將迅速擴大。

GaN 組件產值目前占整個市場 20% 左右，Yole 預估到 2025 年比重將提升至 50% 以上。

(數據源: yole；圖: 西南證券) 不同材料的市場比重分布

GaN HEMT已經成為未來大型基地臺功率放大器的候選技術。目前預估全球每年新建約150萬座基地臺，未來5G網絡還將補充覆蓋區域更小、分布更加密集的微型基地臺，這將刺激GaN 組件的需求。

此外，國防市場在過去幾十年里一直是GaN開發的主要驅動力，目前已用于新一代空中和地面雷達。

(數據源: Qorvo；圖: 西南證券)

而在GaN射頻組件領域中，龍頭廠包括日本住友電工、美國科銳和 Qorvo、韓國RFHIC等。GaN代工廠則有穩懋(3105.TW)、三安光電等。

手機中基石 -GaAs

GaAs作為最成熟的化合物半導體之一，是智能手機零組件中，功率放大器 (PA) 的基石。

軟板廠根據StrategyAnalytics數據獲悉， 2018 年全球 GaAs 組件市場（含 IDM 廠組件產值）總產值約為 88.7 億美元，創歷史新高，且市場集中度高，前四大廠商比重達 73.4%，分別為Skyworks(32.3%)、Qorvo(26%)、Broadcom(9.1%)、穩懋 (6%)。